參數(shù)資料
型號： BFQ270
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN 6 GHz wideband transistor
中文描述： C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-172A1, 4 PIN
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大?。?/td> 133K
代理商： BFQ270
September 1995
10
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 6 GHz wideband transistor
BFQ270
Fig.18 Common emitter reverse transmission coefficient (S
12
).
I
c
= 240 mA; V
CE
= 18 V.
handbook, full pagewidth
180
°
MBB483
+
0
°
30
°
60
°
90
°
120
°
150
°
150
°
120
°
90
°
60
°
30
°
0.4
0.2
0.5
0.3
0.1
3 GHz
40 MHz
Fig.19 Common emitter output reflection coefficient (S
22
).
I
c
= 240 mA; V
CE
= 18 V.
Z
o
= 50
.
handbook, full pagewidth
0.2
0.5
1
2
5
10
0.2
0.5
1
2
5
10
0
+ j
– j
MBB485
∞
1
0.2
10
5
2
0.5
3 GHz
40 MHz
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