參數(shù)資料
型號： BFG540W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 9 GHz wideband transistor
封裝： BFG540W/XR<SOT343N (SOT343N)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week 52, 2002,;BFG540W<SOT343N (SOT343N)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week
文件頁數(shù)： 9/17頁
文件大小： 412K
代理商： BFG540W
2000 May 23
9
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFG540W
BFG540W/X; BFG540W/XR
handbook, full pagewidth
MLC051
0
0
o
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.0
45
o
90
o
135
o
45
o
135
o
1
0.5
0
0.2
0.5
1
2
5
F = 3 dB
F = 2 dB
F = 1.5 dB
opt
Γ
Fmin
2
stability
circle
unstable
region
1
5
o
180
0.2
5
0.2
0.5
2
90
o
Fig.17 Common emitter noise figure circles; typical values.
f = 900 MHz; V
CE
= 8 V; I
C
= 10 mA; Z
o
= 50
handbook, full pagewidth
MLC052
0
0
o
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.0
45
o
90
o
135
o
45
o
90
o
135
o
1
0.5
0.5
1
2
5
2
F = 4 dB
opt
Γ
0.2
2
5
5
o
180
0
0.2
0.2
0.5
1
G = 9 dBG = 8 dB
Gmax
Fmin
F = 1.5 dB
F = 3 dB
Fig.18 Common emitter noise figure circles; typical values.
f = 2 GHz; V
CE
= 8 V; I
C
= 10 mA; Z
o
= 50
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PDF描述
BFG540W NPN 9 GHz wideband transistor
BFG540 NPN 9 GHz wideband transistor
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參數(shù)描述
BFG540W T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG540W,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG540W/X 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.12A 4-Pin (3+Tab) CMPAK Bulk 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT-343 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 9GHZ, SOT-343 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN bipolar RF BFG540W/X 9GHz SOT343N
BFG540W/X T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 8V 120mA 9GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG540W/X,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 8V 120mA 9GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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