參數(shù)資料
型號： BFG540W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 9 GHz wideband transistor
封裝： BFG540W/XR<SOT343N (SOT343N)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week 52, 2002,;BFG540W<SOT343N (SOT343N)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week
文件頁數(shù)： 2/17頁
文件大小： 412K
代理商： BFG540W
2000 May 23
2
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFG540W
BFG540W/X; BFG540W/XR
FEATURES
High power gain
Low noise figure
High transition frequency
Gold metallization ensures
excellent reliability.
APPLICATIONS
RF front end wideband applications in
the GHz range, such as analog and
digital cellular telephones, cordless
telephones (CT2, CT3, PCN, DECT,
etc.), radar detectors, pagers, satellite
television tuners (SATV),
MATV/CATV amplifiers and repeater
amplifiers in fibre-optic systems.
DESCRIPTION
NPN silicon planar epitaxial
transistors in 4-pin dual-emitter
SOT343N and SOT343R plastic
packages.
MARKING
PINNING
TYPE NUMBER
CODE
BFG540W
BFG540W/X
BFG540W/XR
N9
N7
N8
PIN
DESCRIPTION
BFG540W
(see Fig.1)
1
2
3
4
collector
base
emitter
emitter
BFG540W/X
(see Fig.1)
1
2
3
4
collector
emitter
base
emitter
BFG540W/XR
(see Fig.2)
1
2
3
4
collector
emitter
base
emitter
Fig.1 SOT343N.
lfpage
Top view
MBK523
2
1
3
4
Fig.2 SOT343R.
halfpage
Top view
MSB842
2
1
4
3
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
100
TYP.
120
0.5
9
16
10
15
2.1
MAX. UNIT
V
CBO
V
CES
I
C
P
tot
h
FE
C
re
f
T
G
UM
collector-base voltage
collector-emitter voltage R
BE
= 0
collector current (DC)
total power dissipation
DC current gain
feedback capacitance
transition frequency
maximum unilateral
power gain
open emitter
20
15
120
500
250
V
V
mA
mW
T
s
85
C
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V
I
C
= 0; V
CB
= 8 V; f = 1 MHz
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V; f = 1 GHz; T
amb
= 25
C
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V; f = 900 MHz; T
amb
= 25
C
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V; f = 2 GHz; T
amb
= 25
C
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V; f = 900 MHz; T
amb
= 25
C
s
opt
; I
C
= 10 mA; V
CE
= 8 V; f = 2 GHz
pF
GHz
dB
dB
dB
dB
|s
21
|
2
F
insertion power gain
noise figure
14
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFG540W NPN 9 GHz wideband transistor
BFG540 NPN 9 GHz wideband transistor
BFG540 NPN 9 GHz wideband transistor
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參數(shù)描述
BFG540W T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG540W,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG540W/X 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.12A 4-Pin (3+Tab) CMPAK Bulk 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT-343 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 9GHZ, SOT-343 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN bipolar RF BFG540W/X 9GHz SOT343N
BFG540W/X T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 8V 120mA 9GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG540W/X,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 8V 120mA 9GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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