參數(shù)資料
型號： BFG540W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 9 GHz wideband transistor
封裝： BFG540W/XR<SOT343N (SOT343N)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week 52, 2002,;BFG540W<SOT343N (SOT343N)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week
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文件大?。?/td> 412K
代理商： BFG540W
2000 May 23
12
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFG540W
BFG540W/X; BFG540W/XR
SPICE parameters for the BFG540W crystal
SEQUENCE No.
PARAMETER
VALUE
UNIT
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
(1)
20
(1)
21
(1)
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
(1)
IS
BF
NF
VAF
IKF
ISE
NE
BR
NR
VAR
IKR
ISC
NC
RB
IRB
RBM
RE
RC
XTB
EG
XTI
CJE
VJE
MJE
TF
XTF
VTF
ITF
PTF
CJC
VJC
MJC
XCJC
TR
CJS
1.045
184.3
0.981
41.69
10.00
232.4
2.028
43.99
0.992
2.097
166.2
129.8
1.064
5.000
1.000
5.000
353.5
1.340
0.000
1.110
3.000
1.978
600.0
0.332
7.457
11.40
3.158
156.9
0.000
793.7
185.5
0.084
0.150
1.598
0.000
fA
V
A
fA
V
mA
aA
A
m
eV
pF
mV
ps
V
mA
deg
fF
mV
ns
F
Note
1.
These parameters have not been extracted, the
default values are shown.
List of components
(see Fig.23)
.
36
(1)
37
(1)
38
VJS
MJS
FC
750.0
0.000
0.814
mV
DESIGNATION
VALUE
UNIT
C
be
C
cb
C
ce
L1
L2
L3
L
B
L
E
70
50
115
0.34
0.10
0.25
0.40
0.40
fF
fF
fF
nH
nH
nH
nH
nH
SEQUENCE No.
PARAMETER
VALUE
UNIT
QL
= 50; QL
= 50; QL
(f) = QL
B,E
(f/f
c
)
f
c
= scaling frequency = 1 GHz.
Fig.23 Package equivalent circuit SOT343N;
SOT343R.
handbook, halfpage
MBC964
B
E
C
B'
C'
E'
LB
LE
L3
L1
L2
Ccb
Cbe
ce
C
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PDF描述
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BFG540W/X,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 8V 120mA 9GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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