參數資料
型號： BFG540W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 9 GHz wideband transistor
封裝： BFG540W/XR<SOT343N (SOT343N)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week 52, 2002,;BFG540W<SOT343N (SOT343N)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week
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代理商： BFG540W
2000 May 23
7
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFG540W
BFG540W/X; BFG540W/XR
Fig.11 Intermodulation distortion as a function of
collector current; typical values.
V
o
= 500 mV; f
(p + q
r)
= 793.25 MHz; V
CE
= 8 V; T
amb
= 25
C;
R
L
= 75
.
handbook, halfpage
(dB)
10
60
70
60
50
40
30
20
30
40
IC (mA)
50
MEA973
Fig.12 Second order intermodulation distortion as
a function of collector current; typical
values.
V
o
= 275 mV; f
(p + q)
= 810 MHz; V
CE
= 8 V; T
amb
= 25
C; R
L
= 75
.
handbook, halfpage
(dB)
10
60
70
60
50
40
30
20
30
40
IC (mA)
50
MEA972
Fig.13 Minimum noise figure as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 8 V.
handbook, halfpage
F
(dB)
2
1
0
MLC049
3
IC
f = 2000 MHz
1000 MHz
900 MHz
500 MHz
1
10
10
2
Fig.14 Associated available gain as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 8 V.
handbook, halfpage
Fmin
(dB)
0
1
2
5
0
5
10
Gass
(dB)
15
20
3
IC (mA)
4
MRA760
1
10
2
10
2000 MHz
1000 MHz
900 MHz
500 MHz
2000 MHz
1000 MHz
f = 900 MHz
Gass
Fmin
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PDF描述
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