參數(shù)資料
型號： BF547W
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN 1 GHz wideband transistor(NPN 1 GHz 寬帶晶體管)
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： BF547W
June 1994
8
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 1 GHz wideband transistor
BF547W
SPICE parameters for the BF547W crystal
SEQUENCE No.
PARAMETER
VALUE
UNIT
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
(1)
20
(1)
21
(1)
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
(1)
IS
BF
NF
VAF
IKF
ISE
NE
BR
NR
VAR
IKR
ISC
NC
RB
IRB
RBM
RE
RC
XTB
EG
XTI
CJE
VJE
MJE
TF
XTF
VTF
ITF
PTF
CJC
VJC
MJC
XCJC
TR
CJS
289.1
94.29
0.989
90.00
158.6
426.6
1.491
12.32
0.989
19.39
24.75
249.7
1.200
50.00
1.000
50.00
0.500
1.309
0.000
1.110
3.000
1.071
727.3
0.332
92.98
43.89
1.813
143.9
0.000
1.167
489.0
0.253
0.150
50.00
0.000
aA
V
mA
aA
V
mA
pA
μ
A
eV
pF
mV
ps
V
mA
deg
pF
mV
ns
F
Note
1.
These parameters have not been extracted, the
default values are shown.
List of components (see Fig.14).
36
(1)
37
(1)
38
VJS
MJS
FC
750.0
0.000
0.950
mV
DESIGNATION
VALUE
UNIT
C
be
C
cb
C
ce
L1
L2
L3
L
B
L
E
2
100
100
0.34
0.10
0.34
0.60
0.60
fF
fF
fF
nH
nH
nH
nH
nH
SEQUENCE No.
PARAMETER
VALUE
UNIT
QL
B
= 50; QL
E
= 50; QL
B,E
(f) = QL
B,E
√
(f/f
c
);
f
c
= scaling frequency = 100 MHz.
Fig.14 Package equivalent circuit SOT323.
handbook, halfpage
MBC964
B
E
C
B'
C'
E'
LB
LE
L3
L1
L2
Ccb
Cbe
ce
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF547 NPN 1 GHz wideband transistor(NPN 1GHz寬帶晶體管)
BF588 ECONOLINE: RKZ - Safety standards and approvals: EN 60950 certified, rated for 250VAC (LVD test report)- Custom Solutions Available- 3kVDC & 4kVDC Isolation- UL94V-0 Package Material- Power Sharing on Output- Efficiency to 84%
BF681 TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-50
BF720T3 TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-223
BF720 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF547WT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236VAR
BF550 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP Silicon RF Transistor (For common emitter amplifier stages up to 300 MHz For mixer applications in AM/FM radios and VHF TV tuners)
BF550 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED FREQ TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF550 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED FREQ TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF550,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED FREQ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*