參數(shù)資料
型號(hào)： BF547W
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN 1 GHz wideband transistor(NPN 1 GHz 寬帶晶體管)
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-70, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大?。?/td> 83K
代理商： BF547W
June 1994
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 1 GHz wideband transistor
BF547W
Fig.2
Power derating curve.
handbook, halfpage
Ptot
(mW)
0
50
100
200
200
0
MLB587
150
Ts
o
300
100
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 10 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
60
100
MBB397
20
hFE
1
10
1
10
2
10
IC
Fig.4
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values.
I
C
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
(pF)
1.6
0
0
20
MLB588
4
8
VCB
1.2
0.8
0.4
12
16
Fig.5
Transition frequency as a function
of collector current; typical values.
V
CE
= 10 V; f = 500 MHz.
handbook, halfpage
0.6
1
MLB589
0.2
1
10
1
10
2
10
IC
f
(GHz)
T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF547 NPN 1 GHz wideband transistor(NPN 1GHz寬帶晶體管)
BF588 ECONOLINE: RKZ - Safety standards and approvals: EN 60950 certified, rated for 250VAC (LVD test report)- Custom Solutions Available- 3kVDC & 4kVDC Isolation- UL94V-0 Package Material- Power Sharing on Output- Efficiency to 84%
BF681 TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-50
BF720T3 TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-223
BF720 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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BF550 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED FREQ TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF550,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED FREQ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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