參數(shù)資料
型號(hào)： BF547W
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN 1 GHz wideband transistor(NPN 1 GHz 寬帶晶體管)
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： BF547W
June 1994
6
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 1 GHz wideband transistor
BF547W
Fig.10 Common emitter input reflection coefficient (s
11
); typical values.
V
CE
= 10 V; I
C
= 15 mA; Z
o
= 50
.
handbook, full pagewidth
MLB594
0
0
o
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.0
45
o
90
o
135
o
180
o
45
o
90
o
135
o
5
2
1
0.5
0.2
0
0.2
0.5
1
2
5
0.2
1
2
5
2 GHz
40 MHz
0.5
V
CE
= 10 V; I
C
= 15 mA.
Fig.11 Common emitter forward transmission coefficient (s
21
); typical values.
handbook, full pagewidth
MLB595
0
o
90
o
135
o
180
o
90
o
25
20
15
10
5
45
o
135
o
45
o
40 MHz
2 GHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF547 NPN 1 GHz wideband transistor(NPN 1GHz寬帶晶體管)
BF588 ECONOLINE: RKZ - Safety standards and approvals: EN 60950 certified, rated for 250VAC (LVD test report)- Custom Solutions Available- 3kVDC & 4kVDC Isolation- UL94V-0 Package Material- Power Sharing on Output- Efficiency to 84%
BF681 TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-50
BF720T3 TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-223
BF720 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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BF550 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED FREQ TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF550,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED FREQ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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