參數(shù)資料
型號： BF547W
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN 1 GHz wideband transistor(NPN 1 GHz 寬帶晶體管)
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： BF547W
June 1994
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 1 GHz wideband transistor
BF547W
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C (unless otherwise specified).
Note
1.
G
UM
is the maximum unilateral power gain, assuming s
12
is zero.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
up to T
s
= 63
°
C; note 1
290
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
(BR)CBO
collector-base breakdown
voltage
collector-emitter breakdown
voltage
emitter-base breakdown voltage
collector cut-off current
DC current gain
feedback capacitance
transition frequency
I
C
= 0.01 mA; I
E
= 0
30
V
V
(BR)CEO
I
C
= 10 mA; I
B
= 0
20
V
V
(BR)EBO
I
CBO
h
FE
C
re
f
T
I
E
= 0.01 mA; I
C
= 0
I
E
= 0; V
CB
= 10 V
I
C
= 2 mA; V
CE
= 10 V
I
C
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= 15 mA; V
CE
= 10 V;
f = 500 MHz
I
C
= 1 mA; V
CE
= 10 V;
f = 100 MHz; T
amb
= 25
°
C;
40
0.8
95
1
1.2
3
100
250
1.6
V
nA
pF
GHz
G
UM
maximum unilateral power gain;
note 1
20
dB
G
UM
10
s
)
1
2
1
s
11
–
(
s
22
2
–
(
)
------------------------------------------------------------ dB.
log
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF547 NPN 1 GHz wideband transistor(NPN 1GHz寬帶晶體管)
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