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參數(shù)資料
| 型號： | BF1215 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| 中文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | MICRO MINIATURE, PLASTIC, SC-88, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 17/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 262K |
| 代理商： | BF1215 |
BF1215_1
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 6 May 2010
17 of 22
NXP Semiconductors
BF1215
Dual N-channel dual gate MOSFET
9. Test information
Fig 32. Cross-modulation test set-up for amplifier A.
001aal578
50
Ω
50
Ω
RGEN
50
Ω
RL
50
Ω
L2
2.2
μ
H
10 k
Ω
RG1
Vi
4.7 nF
G2
V
AGC
V
DS(A)
5 V
V
DS(B)
5 V
V
GG
0 V
4.7 nF
G1 (B)
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
G1 (A)
S
D (B)
D (A)
BF1215
L1
2.2
μ
H
Fig 33. Cross-modulation test set-up for amplifier B.
001aal579
50
Ω
50
Ω
RGEN
50
Ω
RL
50
Ω
L2
2.2
μ
H
10 k
Ω
RG1
Vi
4.7 nF
G2
V
AGC
V
DS(A)
5 V
V
DS(B)
5 V
V
GG
5 V
4.7 nF
G1 (B)
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
G1 (A)
S
D (B)
D (A)
BF1215
L1
2.2
μ
H
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| BF1216,115 | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 Dual N-Channel 6V 30mA 180mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
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