參數(shù)資料
型號： BF1215
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
中文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： MICRO MINIATURE, PLASTIC, SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù)： 10/22頁
文件大?。?/td> 262K
代理商： BF1215
BF1215_1
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Product data sheet
Rev. 01 — 6 May 2010
10 of 22
NXP Semiconductors
BF1215
Dual N-channel dual gate MOSFET
8.2 Scattering parameters for amplifier A
8.3 Noise data for amplifier A
Table 10.
V
DS(A)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(A)
= 19 mA; V
DS(B)
= 0 V; V
G1-S(B)
= 0 V; T
amb
= 25
°
C; typical values;
unless otherwise specified.
f (MHz)
NF
min
(dB)
Γ
opt
(ratio)
400
0.9
0.810
800
1.4
0.697
V
DS(A)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; V
DS(B)
= V
G1-S(B)
= 0 V; I
D(A)
= 19 mA; T
j
= 25
°
C.
Fig 15. Amplifier A output admittance as a function of frequency; typical values
001aal561
1
10
1
10
b
os
, g
os
(mS)
10
2
f (MHz)
10
10
3
10
2
b
os
g
os
Table 9.
V
DS(A)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(A)
= 19 mA; V
DS(B)
= 0 V; V
G1-S(B)
= 0 V; T
amb
= 25
°
C; typical values.
f (MHz)
s
11
s
21
Magnitude
(ratio)
(degree)
(ratio)
50
0.992
4.61
2.80
100
0.991
8.79
2.80
200
0.986
17.57
2.77
300
0.977
26.11
2.74
400
0.966
34.46
2.69
500
0.952
42.75
2.64
600
0.936
50.92
2.58
700
0.920
58.79
2.50
800
0.902
66.40
2.43
900
0.881
73.87
2.36
1000
0.861
81.10
2.28
Scattering parameters for amplifier A
s
12
Magnitude
(ratio)
0.00078
0.00145
0.00292
0.00415
0.00528
0.00620
0.00691
0.00733
0.00758
0.00763
0.00749
s
22
Magnitude
(ratio)
0.993
0.994
0.992
0.991
0.989
0.986
0.984
0.982
0.979
0.978
0.976
Angle
Magnitude
Angle
(degree)
175.87
172.12
164.25
156.52
148.98
141.49
134.13
127.01
120.04
113.24
106.69
Angle
(degree)
95.65
83.73
78.53
73.60
69.27
64.79
60.71
57.37
54.40
52.13
50.46
Angle
(degree)
1.38
2.76
5.50
8.21
10.91
13.58
16.22
18.86
21.47
24.00
26.55
Noise data for amplifier A
r
n
(ratio)
(degree)
27.95
56.50
0.884
0.717
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