型號(hào): | BF1217WR |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | N-channel dual-gate MOSFET |
中文描述: | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-4 |
文件頁數(shù): | 1/17頁 |
文件大?。?/td> | 173K |
代理商: | BF1217WR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BF1218 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
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BF245A | N-channel FET |
BF245B | N-channel FET |
BF245C | N-channel FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BF1217WR,115 | 功能描述:MOSFET N-CH dual gate MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BF1217WR115 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
BF1218,115 | 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 6V 30mA 180mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
BF-1218-31SV06-Y70 | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk |
BF-1218-31SV-Y103 | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk |