參數(shù)資料
型號： BF1217WR
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
中文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 11/17頁
文件大?。?/td> 173K
代理商： BF1217WR
BF1217WR
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Product data sheet
Rev. 2 — 20 June 2011
11 of 17
NXP Semiconductors
BF1217WR
N-channel dual gate MOSFET
8.2 Scattering parameters
8.3 Noise data
Table 9.
V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 19 mA; T
amb
= 25
C; Z
0
= 50
; typical values.
f (MHz)
s
11
Magnitude
(ratio)
(deg)
40
0.9960
3.50
50
0.9957
4.46
100
0.9935
8.66
200
0.9880
17.55
300
0.9805
26.17
400
0.9712
34.58
500
0.9589
42.78
600
0.9451
50.61
700
0.9309
58.23
800
0.9166
65.68
900
0.9034
72.70
1000
0.8894
79.30
Scattering parameters
s
21
Magnitude
(ratio)
2.77
2.76
2.74
2.73
2.69
2.64
2.58
2.52
2.45
2.37
2.29
2.22
s
12
Magnitude
(ratio)
0.00034
0.00046
0.00121
0.00231
0.00331
0.00414
0.00482
0.00526
0.00549
0.00551
0.00536
0.00505
s
22
Magnitude
(ratio)
0.9945
0.9944
0.9938
0.9927
0.9909
0.9896
0.9872
0.9850
0.9836
0.9818
0.9796
0.9781
Angle
Angle
(deg)
177.20
176.02
172.19
164.42
156.64
149.07
141.74
134.58
127.49
120.79
114.37
107.90
Angle
(deg)
82.80
82.50
81.86
80.28
75.66
71.21
67.42
64.33
61.90
60.77
60.73
62.45
Angle
(deg)
1.00
1.28
2.69
5.39
8.17
10.79
13.30
16.08
18.74
21.05
23.59
26.44
Table 10.
V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 19 mA, T
amb
= 25
C; typical values.
f (MHz)
NF
min
(dB)
Noise data
opt
(ratio)
0.798
0.703
r
n
(ratio)
(deg)
29.5
57.7
400
800
1.0
1.5
0.907
0.749
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