參數資料
型號： BF1217WR
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
中文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數： 3/17頁
文件大?。?/td> 173K
代理商： BF1217WR
BF1217WR
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Product data sheet
Rev. 2 — 20 June 2011
3 of 17
NXP Semiconductors
BF1217WR
N-channel dual gate MOSFET
4. Marking
Table 4.
Type number
BF1217WR
5. Limiting values
Table 5.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Per MOSFET
V
DS
drain-source voltage
I
D
drain current
I
G1
gate1 current
I
G2
gate2 current
P
tot
total power dissipation
T
stg
storage temperature
T
j
junction temperature
[1]
T
sp
is the temperature at the soldering point of the source lead.
Marking
Marking
VA%
Description
% = p : made in Hong Kong
% = t : made in Malaysia
% = w : made in China
Limiting values
Conditions
Min
Max
Unit
DC
DC
-
-
-
-
6
30
10
10
180
+150
150
V
mA
mA
mA
mW
C
C
T
sp
107
C
[1]
-
65
-
Fig 1.
Power derating curve
T
sp
(C)
0
200
150
50
100
001aac193
100
150
50
200
250
P
tot
(mW)
0
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PDF描述
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參數描述
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