參數(shù)資料
型號(hào)： BF1215
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
中文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： MICRO MINIATURE, PLASTIC, SC-88, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 16/22頁(yè)
文件大?。?/td> 262K
代理商： BF1215
BF1215_1
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 6 May 2010
16 of 22
NXP Semiconductors
BF1215
Dual N-channel dual gate MOSFET
8.5 Scattering parameters for amplifier B
8.6 Noise data for amplifier B
Table 12.
V
DS(B)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(B)
= 19 mA; V
DS(A)
= 0 V; V
G1-S(A)
= 0 V; T
amb
= 25
°
C; typical values;
unless otherwise specified.
f (MHz)
NF
min
(dB)
Γ
opt
(ratio)
400
1.1
0.755
800
1.6
0.659
Table 11.
V
DS(B)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(B)
= 15 mA; V
DS(A)
= 0 V; V
G1-S(A)
= 0 V; T
amb
= 25
°
C; typical values.
f (MHz)
s
11
s
21
Magnitude
(ratio)
(degree)
(ratio)
50
0.987
4.68
2.77
100
0.983
8.74
2.75
200
0.979
17.33
2.73
300
0.970
25.74
2.70
400
0.961
33.99
2.66
500
0.948
42.21
2.60
600
0.932
50.29
2.54
700
0.917
58.13
2.47
800
0.900
65.75
2.40
900
0.981
73.19
2.33
1000
0.962
80.36
2.25
Scattering parameters for amplifier B
s
12
Magnitude
(ratio)
0.00074
0.00147
0.00291
0.00422
0.00547
0.00654
0.00744
0.00822
0.00890
0.00947
0.00997
s
22
Magnitude
(ratio)
0.992
0.992
0.991
0.989
0.987
0.986
0.983
0.981
0.978
0.977
0.975
Angle
Magnitude
Angle
(degree)
175.73
171.97
164.04
156.20
148.55
140.92
133.41
126.14
119.00
112.02
105.26
Angle
(degree)
100.59
85.47
83.85
82.04
80.56
79.15
78.33
78.46
78.92
80.11
81.84
Angle
(degree)
1.47
3.03
6.07
9.06
12.03
14.99
17.97
20.93
23.84
26.71
29.63
Noise data for amplifier B
r
n
(
Ω
)
(deg)
27.61
56.19
0.860
0.712
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1216 Dual N-channel dual-gate MOSFET
BF1217WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1218 Dual N-channel dual-gate MOSFET
BF1218 Dual N-channel dual-gate MOSFET
BF245A N-channel FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF1215,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 6V 30mA 180mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1216,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 6V 30mA 180mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF-1216-10SV-Y103 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk
BF1216115 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BF-1216-24SV06-Y103 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*