參數(shù)資料
型號(hào)： BF1214
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1214<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;BF1214/L<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-fr
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代理商： BF1214
BF1214_1
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 30 October 2007
3 of 18
NXP Semiconductors
BF1214
Dual N-channel dual gate MOSFET
4.
Marking
5.
Limiting values
[1]
T
sp
is the temperature at the soldering point of the source lead.
Table 4.
Type number
BF1214
Marking
Marking
SB*
Description
* = p : made in Hong Kong
* = t : made in Malaysia
* = w : made in China
Table 5.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Per MOSFET
V
DS
drain-source voltage
I
D
drain current
I
G1
gate1 current
I
G2
gate2 current
P
tot
total power dissipation
T
stg
storage temperature
T
j
junction temperature
Limiting values
Conditions
Min
Max
Unit
DC
DC
-
-
-
-
6
30
±
10
±
10
180
+150
150
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
T
sp
≤
107
°
C
[1]
-
65
-
Fig 1.
Power derating curve
T
sp
(C)
0
200
150
50
100
001aac193
100
150
50
200
250
P
tot
(mW)
0
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PDF描述
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參數(shù)描述
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