參數(shù)資料
型號(hào)： BF1214
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1214<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;BF1214/L<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-fr
文件頁數(shù)： 12/18頁
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代理商： BF1214
BF1214_1
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 30 October 2007
12 of 18
NXP Semiconductors
BF1214
Dual N-channel dual gate MOSFET
8.3 Graphs for amplifier B
V
DS(B)
= 5 V; V
GG
= 5 V; I
D(nom)(B)
= 18 mA;
R
G1(B)
= 68 k
; f
w
= 50 MHz; T
amb
= 25
°
C;
see
Figure 24
.
V
DS(B)
= 5 V; V
GG
= 5 V; V
G2-S(nom)
= 4 V;
R
G1(B)
= 68 k
; f
w
= 50 MHz; f
unw
= 60 MHz;
I
D(nom)(B)
= 18 mA; T
amb
= 25
°
C; see
Figure 24
.
Fig 18. Amplifier B: unwanted voltage for 1 %
cross modulation as a function of gain
reduction; typical values
Fig 17. Amplifier B: typical gain reduction as a function
of the AGC voltage; typical values
V
DS(B)
= 5 V; V
GG
= 5 V; V
G2-S(nom)
= 4 V; R
G1(B)
= 68 k
; I
D(nom)(B)
= 18 mA; f
w
= 50 MHz; T
amb
= 25
°
C; see
Figure 24
.
Fig 19. Amplifier B: typical drain current as a function of gain reduction; typical values
V
AGC
(V)
0
4
3
1
2
001aah008
30
20
40
10
0
gain
reduction
(dB)
50
gain reduction (dB)
0
50
40
20
30
10
001aah009
90
100
110
V
unw
(dBmV)
80
gain reduction (dB)
0
50
40
20
30
10
001aah010
10
20
30
I
D
(mA)
0
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