參數(shù)資料
型號： BF1210
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1210<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 17/21頁
文件大小： 252K
代理商： BF1210
BF1210_1
NXP B.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 25 October 2006
17 of 21
NXP Semiconductors
BF1210
Dual N-channel dual gate MOSFET
8.3.2
Scattering parameters for amplifier B
8.4 Noise data for amplifier B
9.
Test information
Table 12.
V
DS(B)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(B)
= 13 mA; V
DS(A)
= 0 V; V
G1-S(A)
= 0 V; T
amb
= 25
°
C; typical values.
f (MHz)
s
11
s
21
Magnitude
(ratio)
(deg)
(ratio)
40
0.9874
2.79
3.41
100
0.9883
6.8
3.41
200
0.9844
13.52
3.39
300
0.9777
20.2
3.36
400
0.9684
26.83
3.32
500
0.9578
33.32
3.27
600
0.9442
39.8
3.21
700
0.9291
46.08
3.16
800
0.9147
52.18
3.08
900
0.9002
58.35
3.08
1000
0.8836
64.49
2.93
Scattering parameters for amplifier B
s
12
Magnitude
(ratio)
0.00054
0.00113
0.00224
0.00336
0.00447
0.0055
0.00649
0.00741
0.00828
0.00914
0.00997
s
22
Magnitude
(ratio)
0.992
0.9900
0.9897
0.9889
0.9881
0.9870
0.9851
0.9838
0.9825
0.9803
0.9789
Angle
Magnitude
Angle
(deg)
177.08
172.57
165.23
157.88
150.6
143.38
136.22
129.15
122.25
115.4
108.49
Angle
(deg)
89.27
90.81
89.67
89.02
88.43
87.64
87.53
87.51
87.7
88.14
88.26
Angle
(deg)
1.26
2.91
5.81
8.7
11.61
14.52
17.39
20.3
23.2
26.06
29.03
Table 13.
V
DS(B)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(B)
= 13 mA, T
amb
= 25
°
C; typical values.
f (MHz)
NF
min
(dB)
Noise data for amplifier B
Γ
opt
(ratio)
0.743
0.687
r
n
(ratio)
(deg)
20.27
42.08
400
800
0.9
1.2
0.65
0.581
Fig 32. Cross modulation test setup (for one MOSFET)
001aad926
R1
10 k
RL
50
L1
≈
2.2
μ
H
RGEN
50
VI
R2
50
RG1
C1
4.7 nF
C2
4.7 nF
C3
4.7 nF
C4
4.7 nF
V
AGC
V
GG
DUT
V
DS
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