參數(shù)資料
型號： BF1208D
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1208D<SOT666 (SOT666)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT666.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 19/22頁
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代理商： BF1208D
BF1208D_1
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 16 May 2007
19 of 22
NXP Semiconductors
BF1208D
Dual N-channel dual gate MOSFET
10. Package outline
Fig 35. Package outline SOT666
UNIT
b
p
c
D
E
e
1
H
E
L
p
w
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
04-11-08
06-03-16
IEC
JEDEC
JEITA
mm
0.27
0.17
0.18
0.08
1.7
1.5
1.3
1.1
0.5
e
1.0
1.7
1.5
0.1
y
0.1
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.3
0.1
SOT666
bp
pin 1 index
D
e1
e
A
Lp
detail X
HE
E
A
S
0
1
2 mm
scale
A
0.6
0.5
c
X
1
2
3
4
5
6
Plastic surface-mounted package; 6 leads
SOT666
Y S
w
M
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1208 Dual N-channel dual-gate MOSFET
BF1208 Dual N-channel dual-gate MOSFET
BF1210 Dual N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
BF1208D T/R 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1208D,115 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF120F 制造商:Eaton Corporation 功能描述:BF120F RELAY A
BF120H 制造商:Siemens 功能描述:
BF120M 制造商:Siemens 功能描述:
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