參數(shù)資料
型號： BF1208D
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1208D<SOT666 (SOT666)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT666.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 17/22頁
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代理商： BF1208D
BF1208D_1
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 16 May 2007
17 of 22
NXP Semiconductors
BF1208D
Dual N-channel dual gate MOSFET
8.2.2
Scattering parameters for amplifier B
8.2.3
Noise data for amplifier B
Table 12.
V
DS(B)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(B)
= 15 mA; V
DS(A)
= 0 V; V
G1-S(A)
= 0 V; T
amb
= 25
°
C; typical values.
f
(MHz)
Magnitude
(ratio)
(deg)
(ratio)
(deg)
40
0.9830
3.09
2.96410
176.88 0.00070
100
0.98257
7.62
2.92951
171.69 0.00176
200
0.97956
15.00 2.90869
163.43 0.00339
300
0.97446
22.33 2.86877
155.20 0.00501
400
0.96849
29.56 2.82073
147.13 0.00663
500
0.96112
36.62 2.75891
139.15 0.00820
600
0.95238
43.55 2.68790
131.26 0.00967
700
0.94282
50.37 2.61038
123.50 0.01110
800
0.93319
56.94 2.52719
115.92 0.01250
900
0.92326
63.22 2.44054
108.46 0.01379
1000
0.91325
69.31 2.35036
101.13 0.01506
Scattering parameters for amplifier B
s
11
s
21
Magnitude
s
12
Magnitude
(ratio)
s
22
Magnitude
(ratio)
0.9920
0.99190
0.99064
0.98894
0.98688
0.98454
0.98181
0.97880
0.97585
0.97175
0.96801
Angle
Angle
Angle
(deg)
87.02
86.41
83.66
81.33
79.12
76.85
74.48
72.29
70.11
67.93
65.65
Angle
(deg)
1.22
3.22
6.42
9.59
12.74
15.88
19.02
22.13
25.20
28.30
31.40
Table 13.
V
DS(B)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(B)
= 15 mA; V
DS(A)
= 0 V; V
G1-S(A)
= 0 V; T
amb
= 25
°
C; typical values;
unless otherwise specified.
f (MHz)
NF
min
(dB)
Γ
opt
(ratio)
400
1.1
0.72
800
1.4
0.68
Noise data for amplifier B
r
n
(
)
(deg)
22.83
46.42
0.66
0.64
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