參數(shù)資料
型號： BF1208D
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1208D<SOT666 (SOT666)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT666.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 18/22頁
文件大?。?/td> 253K
代理商： BF1208D
BF1208D_1
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 16 May 2007
18 of 22
NXP Semiconductors
BF1208D
Dual N-channel dual gate MOSFET
9.
Test information
Fig 33. Cross modulation test set-up for amplifier A
Fig 34. Cross modulation test set-up for amplifier B
50
10 k
RGEN
50
RL
50
50
RG1
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
G2
S
G1B
DB
DA
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
G1A
BF1208D
V
GG
0V
V
DS(B)
5V
V
DS(A)
5V
V
AGC
L2
2.2
μ
H
L1
2.2
μ
H
001aag398
Vi
50
10 k
RGEN
50
50
RG1
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
G2
S
G1B
DB
DA
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
G1A
BF1208D
V
GG
5V
V
DS(B)
5V
V
DS(A)
5V
V
AGC
L2
2.2
μ
H
L1
2.2
μ
H
RL
50
001aag399
Vi
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PDF描述
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參數(shù)描述
BF1208D T/R 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1208D,115 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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