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參數(shù)資料
| 型號： | BF1206F |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| 封裝： | BF1206F<SOT666 (SOT666)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT666.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數(shù)： | 16/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 320K |
| 代理商： | BF1206F |
BF1206F
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 7 September 2011
16 of 21
NXP Semiconductors
BF1206F
Dual N-channel dual gate MOSFET
8.3.2
Scattering parameters for amplifier B
8.3.3
Noise data for amplifier B
9. Test information
Table 12.
V
DS(B)
= 2.8 V; V
G2-S
= 2.5 V; I
D(B)
= 4 mA; V
DS(A)
= 0 V; V
G1-S(A)
= 0 V; T
amb
= 25
C; typical values.
f (MHz)
s
11
s
21
Magnitude
(ratio)
(deg)
(ratio)
50
0.9939
3.12
2.27
100
0.9936
6.29
2.26
200
0.9896
12.47
2.25
300
0.9845
18.59
2.23
400
0.9779
24.66
2.20
500
0.9703
30.55
2.16
600
0.9620
36.37
2.13
700
0.9529
42.10
2.08
800
0.9439
47.79
2.04
900
0.9353
53.24
1.99
1000
0.9266
58.46
1.94
Scattering parameters for amplifier B
s
12
Magnitude
(ratio)
0.00089
0.00170
0.00336
0.00503
0.00642
0.00769
0.00873
0.00967
0.01024
0.01058
0.01074
s
22
Magnitude
(ratio)
0.993
0.993
0.992
0.990
0.988
0.986
0.983
0.980
0.977
0.975
0.973
Angle
Magnitude
Angle
(deg)
176.11
172.41
164.98
157.64
150.35
143.16
136.02
129.01
122.01
115.30
108.64
Angle
(deg)
94.68
84.37
81.29
77.17
73.23
69.72
66.28
63.19
60.51
58.52
57.24
Angle
(deg)
1.62
3.23
6.44
9.65
12.85
16.00
19.18
22.37
25.50
28.66
31.85
Table 13.
V
DS(B)
= 2.8 V; V
G2-S
= 2.5 V; I
D(B)
= 4 mA.
f (MHz)
Noise data for amplifier B
NF
min
(dB)
opt
ratio
0.8
0.83
r
n
(ratio)
(deg)
19
46
400
800
0.9
1.0
0.9
0.96
Fig 32. Cross-modulation test setup (for one MOSFET)
001aad926
R1
10 k
Ω
RL
50
Ω
L1
≈
2.2
μ
H
RGEN
50
Ω
VI
R2
50
Ω
RG1
C1
4.7 nF
C2
4.7 nF
C3
4.7 nF
C4
4.7 nF
V
AGC
V
GG
DUT
V
DS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| BF1206F | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
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