參數(shù)資料
型號(hào)： BF1206F
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1206F<SOT666 (SOT666)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT666.html<1<Always Pb-free,;
文件頁(yè)數(shù)： 15/21頁(yè)
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代理商： BF1206F
BF1206F
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 7 September 2011
15 of 21
NXP Semiconductors
BF1206F
Dual N-channel dual gate MOSFET
V
DS(B)
= 2.8 V; V
G2-S
= 2.5 V; V
DS(A)
= 0 V; I
D(B)
= 4 mA.
Fig 28. Amplifier B: input admittance and phase as a
function of frequency; typical values
V
DS(B)
= 2.8 V; V
G2-S
= 2.5 V; V
DS(A)
= 0 V; I
D(B)
= 4 mA.
Fig 29. Amplifier B: forward transfer admittance and
phase as a function of frequency; typical
values
V
DS(B)
= 2.8 V; V
G2-S
= 2.5 V; V
DS(A)
= 0 V; I
D(B)
= 4 mA.
Fig 30. Amplifier B: reverse transfer admittance and
phase as a function of frequency: typical
values
V
DS(B)
= 2.8 V; V
G2-S
= 2.5 V; V
DS(A)
= 0 V; I
D(B)
= 4 mA.
Fig 31. Amplifier B: output admittance and phase as a
function of frequency; typical values
001aad922
f (Mhz)
10
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
b
is
, g
is
(mS)
10
2
b
is
g
is
f (MHz )
10
10
3
10
2
001aad923
10
10
2
Y
fs
(mS)
fs
(deg)
1
10
10
2
1
Y
fs
fs
rs
(deg)
Y
rs
001aad924
10
1
10
2
10
2
1
Y
rs
(
μ
S)
10
3
f (MHz)
10
X
10
3
10
2
rs
10
3
10
1
001aad925
1
10
1
10
b
os
, g
os
(mS)
10
2
f (MHz)
10
10
3
10
2
b
os
g
os
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1206F Dual N-channel dual-gate MOSFET
BF1206 Dual N-channel dual-gate MOSFET
BF1206 Dual N-channel dual-gate MOSFET
BF1207 Dual N-channel dual-gate MOSFET
BF1207 Dual N-channel dual-gate MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF1206F,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 6V 30mA 180mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1207 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOSFET
BF1207 T/R 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1207,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1208 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOSFET
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