參數(shù)資料
型號： BF1109R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1109R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;
文件頁數(shù)： 5/15頁
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代理商： BF1109R
1997 Dec 08
5
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1109; BF1109R; BF1109WR
Fig.5 Output characteristics; typical values.
V
G2-S
= 4 V.
T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
(mA)
0
10
0
5
10
15
20
2
4
6
8
MDA613
VDS (V)
VG1 = 1.6 V
1.3 V
1.2 V
1.1 V
1.5 V
1.4 V
1 V
Fig.6 Transfer characteristics; typical values.
V
DS
= 9 V.
T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
20
30
10
0
0.5
2.5
MDA614
1
1.5
2
VG1 (V)
2 V
1 V
VG2-S = 4 V
3.5 V
3 V
2.5 V
1.5 V
Fig.7
Forward transfer admittance as a function
of drain current; typical values.
V
DS
= 9 V.
T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
yfs
(mS)
0
10
20
30
30
10
0
20
MDA615
ID (mA)
3.5 V
3 V
2.5 V
2 V
VG2-S = 4 V
Fig.8
Drain current as a function of gate 2
voltage; typical values.
(1) V
DS
= 9 V.
(2) V
DS
= 7 V.
(3) V
DS
= 5 V.
(4) V
DS
= 3 V.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
8
12
4
0
1
5
MDA616
2
3
4
VG2-S (V)
(1)
(4)
(3)
(2)
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