參數(shù)資料
型號: BF1109R
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: N-channel dual-gate MOSFET
封裝: BF1109R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;
文件頁數(shù): 10/15頁
文件大?。?/td> 347K
代理商: BF1109R
1997 Dec 08
10
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1109; BF1109R; BF1109WR
PACKAGE OUTLINES
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
mm
1.1
0.9
A1
max
0.1
b1
0.88
0.78
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
HE
y
w
v
Q
2.5
2.1
0.45
0.15
0.55
0.45
e
1.9
e1
1.7
Lp
0.1
0.1
0.2
bp
0.48
0.38
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT143B
04-11-16
06-03-16
0
1
2 mm
scale
Plastic surface-mounted package; 4 leads
SOT143B
D
HE
E
A
B
v
M
A
X
A
A1
Lp
Q
detail X
c
y
w
M
e1
e
B
2
1
3
4
b1
bp
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1109WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1109R N-channel dual-gate MOSFET
BF1109WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1118 Silicon RF switches
BF1118 Silicon RF switches
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF1109R,215 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 Dual N-Channel 11V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1109WR 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1109WR,115 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF-110BPA/KOEM 功能描述:FLASHLIGHT HEAVY DUTY W/2D CELLS RoHS:是 類別:工具 >> 閃光燈 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類型:筆形手電筒 燈類型:LED 燈輸出:- 特點(diǎn):可變強(qiáng)度 電池大小:AA(需要 1 個) 長度:- 主體材料:-
BF1118,215 功能描述:RF 開關(guān) IC SILICON RF SWITCHES RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 開關(guān)數(shù)量:Single 開關(guān)配置:SPDT 介入損耗:0.6 dB 截止隔離(典型值):43 dB 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-16 封裝:Reel