參數(shù)資料
型號(hào)： BF1109R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1109R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;
文件頁(yè)數(shù)： 3/15頁(yè)
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代理商： BF1109R
1997 Dec 08
3
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1109; BF1109R; BF1109WR
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DS
I
D
I
G1
I
G2
P
tot
T
stg
T
j
drain-source voltage
drain current (DC)
gate 1 current
gate 2 current
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
65
11
30
10
10
200
+150
+150
V
mA
mA
mA
mW
C
C
T
amb
80
C; note 1
Fig.4 Power derating curve.
handbook, halfpage
(mW)
0
40
80
160
0
200
MGM243
120
150
100
50
Tamb (
°
C)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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