參數(shù)資料
型號(hào)： BF1109R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1109R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;
文件頁(yè)數(shù)： 1/15頁(yè)
文件大?。?/td> 347K
代理商： BF1109R
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Sep 03
1997 Dec 08
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BF1109; BF1109R; BF1109WR
N-channel dual-gate MOS-FETs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1109WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1118 Silicon RF switches
BF1118 Silicon RF switches
BF1118R Silicon RF switches
BF1118W Silicon RF switches
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF1109R,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 11V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1109WR 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1109WR,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF-110BPA/KOEM 功能描述:FLASHLIGHT HEAVY DUTY W/2D CELLS RoHS:是 類別:工具 >> 閃光燈 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類型:筆形手電筒 燈類型:LED 燈輸出:- 特點(diǎn):可變強(qiáng)度 電池大小:AA（需要 1 個(gè)） 長(zhǎng)度:- 主體材料:-
BF1118,215 功能描述:RF 開關(guān) IC SILICON RF SWITCHES RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 開關(guān)數(shù)量:Single 開關(guān)配置:SPDT 介入損耗:0.6 dB 截止隔離（典型值）:43 dB 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-16 封裝:Reel
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