參數(shù)資料
型號(hào)： BF1109R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1109R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;
文件頁(yè)數(shù)： 12/15頁(yè)
文件大小： 347K
代理商： BF1109R
1997 Dec 08
12
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1109; BF1109R; BF1109WR
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT343R
D
A
A1
Lp
Q
detail X
c
HE
E
v
M
A
A
B
0
1
2 mm
scale
X
2
1
4
3
Plastic surface-mounted package; reverse pinning; 4 leads
SOT343R
w
M
B
97-05-21
06-03-16
bp
UNIT
A1
max
bp
c
D
E
b1
HE
Lp
Q
w
v
mm
0.1
1.1
0.8
0.4
0.3
0.25
0.10
0.7
0.5
2.2
1.8
1.35
1.15
e
2.2
2.0
1.3
e1
0.2
y
0.1
0.2
1.15
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
0.23
0.13
e1
A
e
y
b1
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BF1109WR 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1109WR,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF-110BPA/KOEM 功能描述:FLASHLIGHT HEAVY DUTY W/2D CELLS RoHS:是 類(lèi)別:工具 >> 閃光燈 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 類(lèi)型:筆形手電筒 燈類(lèi)型:LED 燈輸出:- 特點(diǎn):可變強(qiáng)度 電池大小:AA（需要 1 個(gè)） 長(zhǎng)度:- 主體材料:-
BF1118,215 功能描述:RF 開(kāi)關(guān) IC SILICON RF SWITCHES RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 開(kāi)關(guān)數(shù)量:Single 開(kāi)關(guān)配置:SPDT 介入損耗:0.6 dB 截止隔離（典型值）:43 dB 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-16 封裝:Reel
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