參數(shù)資料
型號(hào)： BF1101
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1101<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;
文件頁(yè)數(shù)： 9/15頁(yè)
文件大?。?/td> 373K
代理商： BF1101
1999 May 14
9
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1101; BF1101R; BF1101WR
Table 1
Scattering parameters: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C
Table 2
Noise data: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C
f
(MHz)
S
11
S
21
S
12
S
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
4.1
8.1
16.1
23.9
31.6
38.8
45.7
52.2
58.4
64.5
70.3
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
2.2
4.3
8.5
12.6
16.8
20.8
24.7
28.5
32.2
35.8
39.6
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.987
0.985
0.976
0.963
0.949
0.933
0.916
0.897
0.877
0.856
0.832
2.922
2.908
2.875
2.820
2.762
2.665
2.591
2.498
2.410
2.318
2.214
175.0
170.3
160.8
157.6
142.6
134.1
125.7
117.7
109.6
101.6
94.2
0.001
0.001
0.003
0.004
0.005
0.005
0.005
0.006
0.005
0.006
0.006
87.6
86.1
83.3
80.4
78.2
77.8
78.9
81.8
89.1
97.1
110.4
0.990
0.989
0.985
0.982
0.977
0.972
0.967
0.961
0.957
0.950
0.946
f
(MHz)
F
min
(dB)
opt
R
n
(
)
(ratio)
(deg)
800
1.5
0.715
58.3
37.85
Fig.21 Cross-modulation test set-up.
handbook, full pagewidth
DUT
C1
4.7 nF
R1
10 k
Ω
MGS315
C4
4.7 nF
L1
≈
2.2
μ
H
C3
4.7 nF
RL
50
Ω
VGG
VAGC
VDS
RGEN
50
Ω
VI
R2
50
Ω
4.7 nF
C2
RG1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1101 N-channel dual-gate MOSFET
BF1101R N-channel dual-gate MOSFET
BF1101WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1101R N-channel dual-gate MOSFET
BF1101WR N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
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