參數(shù)資料
型號(hào)： BF1101
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1101<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;
文件頁(yè)數(shù)： 7/15頁(yè)
文件大?。?/td> 373K
代理商： BF1101
1999 May 14
7
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1101; BF1101R; BF1101WR
Fig.13 Gate 1 current as a function of gate 2
voltage; typical values.
V
DS
= 5 V; T
j
= 25
C.
R
G1
= 120 k
(connected to V
GG
); see Fig.21.
handbook, halfpage
IG1
(
μ
A)
0
20
30
10
0
MGS307
2
6
4
VG2-S (V)
4.5 V
4 V
3.5 V
3 V
VGG = 5 V
Fig.14 Typical gain reduction as a function of
the AGC voltage; see Fig.21.
handbook, halfpage
reduction
(dB)
0
30
20
10
40
50
1
MGS308
2
3
4
VAGC (V)
(2)
(1)
(3)
V
DS
= 5 V; V
GG
= 5 V; f = 50 MHz; T
amb
= 25
C.
(1) R
G1
= 68 k
.
(2) R
G1
= 120 k
.
(3) R
G1
= 180 k
.
Fig.15 Unwanted voltage for 1% cross-modulation
as a function of gain reduction;
typical values; see Fig.21.
handbook, halfpage
Vunw
(dB
μ
V)
0
90
100
110
80
10
MGS309
20
30
40
50
gain reduction (dB)
(2)
(3)
(1)
V
DS
= 5 V; V
GG
= 5 V; f = 50 MHz; f
unw
= 60 MHz; T
amb
= 25
C.
(1) R
G1
= 68 k
.
(2) R
G1
= 120 k
.
(3) R
G1
= 180 k
.
Fig.16 Drain current as a function of gain reduction;
typical values; see Fig.21.
handbook, halfpage
(mA)
0
10
15
20
5
0
10
MGS310
20
30
40
50
gain reduction (dB)
(2)
(3)
(1)
V
DS
= 5 V; V
GG
= 5 V; f = 50 MHz; T
amb
= 25
C.
(1) R
G1
= 68 k
.
(2) R
G1
= 120 k
.
(3) R
G1
= 180 k
.
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PDF描述
BF1101 N-channel dual-gate MOSFET
BF1101R N-channel dual-gate MOSFET
BF1101WR N-channel dual-gate MOSFET
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