參數(shù)資料
型號： BF1101
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1101<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;
文件頁數(shù)： 6/15頁
文件大小： 373K
代理商： BF1101
1999 May 14
6
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1101; BF1101R; BF1101WR
Fig.9
Drain current as a function of gate 1 current;
typical values.
V
DS
= 5 V.
V
G2-S
= 4 V.
T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
(mA)
0
8
12
16
4
0
10
MGS303
20
30
40
50
IG1 (
μ
A)
Fig.10 Drain current as a function of gate 1
supply voltage (= V
GG
); typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; T
j
= 25
C.
R
G1
= 120 k
(connected to V
GG
); see Fig.21.
handbook, halfpage
0
10
5
0
1
MGS304
2
3
5
4
ID
(mA)
VGG (V)
Fig.11 Drain current as a function of gate 1 (= V
GG
)
and drain supply voltage; typical values.
V
G2-S
= 4 V; T
j
= 25
C.
R
G1
connected to V
GG
; see Fig.21.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
8
12
16
4
0
2
4
6
8
VGG = VDS (V)
RG1 = 47 k
Ω
68 k
Ω
82 k
Ω
100 k
Ω
120 k
Ω
150 k
Ω
180 k
Ω
220 k
Ω
MGS305
V
DS
= 5 V; T
j
= 25
C.
R
G1
= 120 k
(connected to V
GG
); see Fig.21.
Fig.12 Drain current as a function of gate 2 voltage;
typical values.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
8
12
4
0
2
MGS306
4
6
VG2-S (V)
4.5 V
4 V
3.5 V
3 V
VGG = 5 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1101 N-channel dual-gate MOSFET
BF1101R N-channel dual-gate MOSFET
BF1101WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1101R N-channel dual-gate MOSFET
BF1101WR N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
BF1101,215 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1101R 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs
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BF1101WR 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1101WR,115 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 N-CH DUAL GATE 7V RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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