- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369439 > BCW61CR TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BCW61CR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 32V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至236 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 97K |
| 代理商： | BCW61CR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW61AR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236 |
| BCW61BL | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
| BCW61BR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236 |
| BCW61DR | Fuse Holder; Mounting Type:In-Line; Body Material:Thermoset; Current Rating:20A; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Wire Size (AWG):14; Number of Fuses:1; Voltage Rating:32V |
| BCW61RB | DIODE TVS 10V 1.5KW UNI-DIR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCW61CT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA |
| BCW61CT116 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 200MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW61CTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW61CTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW61D | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Transistor PNP AF 32V 100mA hfe500 SOT23 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。