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BCW61AR	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 32V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-236
BCW61BL	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 32V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| SOT-23
BCW61BR	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 32V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-236
BCW61DR	Fuse Holder; Mounting Type:In-Line; Body Material:Thermoset; Current Rating:20A; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Wire Size (AWG):14; Number of Fuses:1; Voltage Rating:32V
BCW61RB	DIODE TVS 10V 1.5KW UNI-DIR

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BCW61AR

TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236

BCW61BL

TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23

BCW61BR

TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236

BCW61DR

Fuse Holder; Mounting Type:In-Line; Body Material:Thermoset; Current Rating:20A; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Wire Size (AWG):14; Number of Fuses:1; Voltage Rating:32V

BCW61RB

DIODE TVS 10V 1.5KW UNI-DIR

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
BCW61CT/R	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 32V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-236AA
BCW61CT116	功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 200MA RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61CTA	功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61CTC	功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61D	制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Transistor PNP AF 32V 100mA hfe500 SOT23

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BCW61CT/R

BCW61CT116

功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 200MA RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

BCW61CTA

功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

BCW61CTC

BCW61D

制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Transistor PNP AF 32V 100mA hfe500 SOT23

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中文描述：	晶體管\|晶體管\|進(jìn)步黨\| 32V的五（巴西）總裁\| 100mA的一（c）\|至236
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代理商：	BCW61CR

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