參數(shù)資料
型號: BCW61BR
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236
中文描述: 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 32V的五(巴西)總裁| 200mA的一(c)|至236
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代理商: BCW61BR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCW61DR Fuse Holder; Mounting Type:In-Line; Body Material:Thermoset; Current Rating:20A; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Wire Size (AWG):14; Number of Fuses:1; Voltage Rating:32V
BCW61RB DIODE TVS 10V 1.5KW UNI-DIR
BCW61RD TVS Diode; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
BCW61SERIES TVS Diode; Diode Type:Unidirectional TVS; Stand-Off Voltage, VRWM:171V; Breakdown Voltage, Vbr:190V; Package/Case:DO-201; Leaded Process Compatible:Yes; No. of Lines Protected Max:1; Peak Pulse Current IPP @ 10x1000uS:5.5A RoHS Compliant: Yes
BCX71RH ###############################################################################################################################################################################################################################################################
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCW61BRTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61BRTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61BT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA
BCW61BT116 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
BCW61BTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2