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BCW61BL	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 32V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| SOT-23
BCW61BR	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 32V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-236
BCW61DR	Fuse Holder; Mounting Type:In-Line; Body Material:Thermoset; Current Rating:20A; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Wire Size (AWG):14; Number of Fuses:1; Voltage Rating:32V
BCW61RB	DIODE TVS 10V 1.5KW UNI-DIR
BCW61RD	TVS Diode; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23

TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236

Fuse Holder; Mounting Type:In-Line; Body Material:Thermoset; Current Rating:20A; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Wire Size (AWG):14; Number of Fuses:1; Voltage Rating:32V

BCW61RB

DIODE TVS 10V 1.5KW UNI-DIR

BCW61RD

TVS Diode; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
BCW61AT/R	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 32V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-236AA
BCW61ATA	功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61ATC	功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61B	制造商:DIOTEC 制造商全稱:Diotec Semiconductor 功能描述:Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
BCW61B T/R	功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)

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BCW61AT/R

BCW61ATA

功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

BCW61ATC

BCW61B

制造商:DIOTEC 制造商全稱:Diotec Semiconductor 功能描述:Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

BCW61B T/R

功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

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英文描述：	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 32V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-236
中文描述：	晶體管\|晶體管\|進(jìn)步黨\| 32V的五（巴西）總裁\| 200mA的一（c）\|至236
文件頁(yè)數(shù)：	1/2頁(yè)
文件大?。?/td>	97K
代理商：	BCW61AR

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