參數資料
型號: BCW61CL
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
中文描述: 晶體管|晶體管|進步黨| 32V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)| SOT - 23封裝
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代理商: BCW61CL
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PDF描述
BCW61CR TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236
BCW61AR TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236
BCW61BL TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23
BCW61BR TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236
BCW61DR Fuse Holder; Mounting Type:In-Line; Body Material:Thermoset; Current Rating:20A; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Wire Size (AWG):14; Number of Fuses:1; Voltage Rating:32V
相關代理商/技術參數
參數描述
BCW61CLR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
BCW61CLT1 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BCW61CMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61CMTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61CR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236