型號: | BCW61CL |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進步黨| 32V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)| SOT - 23封裝 |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大小: | 97K |
代理商: | BCW61CL |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BCW61CR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
BCW61AR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236 |
BCW61BL | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
BCW61BR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236 |
BCW61DR | Fuse Holder; Mounting Type:In-Line; Body Material:Thermoset; Current Rating:20A; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Wire Size (AWG):14; Number of Fuses:1; Voltage Rating:32V |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BCW61CLR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
BCW61CLT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
BCW61CMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCW61CMTF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCW61CR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |