型號: | BCW61AL |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進步黨| 32V的五(巴西)總裁| 200mA的一(c)| SOT - 23封裝 |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大?。?/td> | 97K |
代理商: | BCW61AL |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BCW61 | PNP general purpose transistors |
BCW61CL | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
BCW61CR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
BCW61AR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236 |
BCW61BL | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BCW61ALR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
BCW61AMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCW61AMTF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCW61AR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236 |
BCW61AT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA |