參數(shù)資料
型號: BCW61AL
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23
中文描述: 晶體管|晶體管|進步黨| 32V的五(巴西)總裁| 200mA的一(c)| SOT - 23封裝
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代理商: BCW61AL
相關PDF資料
PDF描述
BCW61 PNP general purpose transistors
BCW61CL TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BCW61CR TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236
BCW61AR TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236
BCW61BL TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BCW61ALR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
BCW61AMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61AMTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61AR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236
BCW61AT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA