參數(shù)資料
型號(hào)： ATF-33143-BLK
英文描述： Low Noise Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package
中文描述： 低噪聲假晶HEMT器件的表面貼裝塑料包裝
文件頁(yè)數(shù)： 13/14頁(yè)
文件大?。?/td> 149K
代理商： ATF-33143-BLK
Tape Dimensions
For Outline 4T
Device Orientation
USER
FEED
DIRECTION
COVER TAPE
CARRIER
TAPE
REEL
END VIEW
8 mm
4 mm
TOP VIEW
3Px
3Px
3Px
3Px
P
P
0
P
2
F
W
C
D
1
D
E
A
0
8
°
MAX.
t
1
(CARRIER TAPE THICKNESS)
T
t
(COVER TAPE THICKNESS)
5
°
MAX.
B
0
K
0
DESCRIPTION
SYMBOL
SIZE (mm)
SIZE (INCHES)
LENGTH
WIDTH
DEPTH
PITCH
BOTTOM HOLE DIAMETER
A
0
B
0
K
0
P
D
1
2.24
±
0.10
2.34
±
0.10
1.22
±
0.10
4.00
±
0.10
1.00 + 0.25
0.088
±
0.004
0.092
±
0.004
0.048
±
0.004
0.157
±
0.004
0.039 + 0.010
CAVITY
DIAMETER
PITCH
POSITION
D
P
0
E
1.55
±
0.05
4.00
±
0.10
1.75
±
0.10
0.061
±
0.002
0.157
±
0.004
0.069
±
0.004
PERFORATION
WIDTH
THICKNESS
W
t
1
8.00
±
0.30
0.255
±
0.013
0.315
±
0.012
0.010
±
0.0005
CARRIER TAPE
CAVITY TO PERFORATION
(WIDTH DIRECTION)
CAVITY TO PERFORATION
(LENGTH DIRECTION)
F
P
2
3.50
±
0.05
2.00
±
0.05
0.138
±
0.002
0.079
±
0.002
DISTANCE
WIDTH
TAPE THICKNESS
C
T
t
5.4
±
0.10
0.062
±
0.001
0.205
±
0.004
0.0025
±
0.00004
COVER TAPE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ATF-33143-TR2 Low Noise Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package
ATF33143 Low Noise Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package
ATF-33143-TR1 Low Noise Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package
ATF-36163-BLK 1.5-18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT
ATF-36163 1.5-18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT
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參數(shù)描述
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ATF-33143-BLKG 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor
ATF-33143-G 制造商:Avago Technologies 功能描述:Transistor JFET N-Ch 5.5V 305mA SOT343
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ATF-33143-TR1G 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs Low Noise RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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