參數(shù)資料
型號(hào)： AS6WA25616
廠(chǎng)商： Alliance Semiconductor Corporation
英文描述： 3.0V to 3.6V 256K×16 Intelliwatt low-power CMOS SRAM with one chip enable(3.0V 到 3.6V 256K×16 Intelliwatt 低功耗 CMOS 靜態(tài)RAM（帶單片使能）)
中文描述： 3.0V至3.6V 256K × 16 Intelliwatt低功耗CMOS SRAM的同一個(gè)芯片上，使（3.0V到3.6V的256K × 16 Intelliwatt低功耗的CMOS靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶單片使能））
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 180K
代理商： AS6WA25616
8
ALLIANCE SEMICONDUCTOR
10/6/00
AS6WA25616
Minimum
Typical
Maximum
A
B
–
0.75
7.00
–
6.90
7.10
B1
–
3.75
–
C
C1
10.90
–
11
5.25
11.10
–
D
0.30
0.35
0.40
E
E1
–
–
–
1.20
–
0.68
E2
0.22
0.25
0.27
Y
–
–
0.08
Notes
1. Bump counts: 48 (8 row × 6 column).
2. Pitch: (x,y) = 0.75 mm × 0.75 mm (typ).
3. Units: millimeters.
4. All tolerance are ±0.050 unless otherwise specified.
5. Typ: typical.
6. Y is coplanarity: 0.08 (max).
6
5
4
3
2
1
48-ball FBGA
Bottom View
Top View
A
B
C
D
E
F
G
H
Ball #A1
Ball #A1 Index
C1
A
A
B1
B
Elastomer
C
SRAM Die
Side View
Detail View
Die
Die
A
E2
E
Y
0.3/Typ
E1
E
E2
D
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PDF描述
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