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參數(shù)資料
| 型號： | AS29F040-150TI |
| 廠商： | ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 150 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 8 X 20 MM, TSOP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 4/18頁 |
| 文件大小： | 341K |
| 代理商： | AS29F040-150TI |
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JEDEC
Symbol
Std
Symbol
Parameter
-55
-70
-90
-120
-150
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
tAVAV
tRC
Read cycle time
55
-
70
-
90
-
120
-
150
-
ns
tAVQV
tACC
Address to output delay
-
55
-
70
-
90
-
120
-
150
ns
tELQV
tCE
Chip enable to output
-
55
-
70
-
90
-
120
-
150
ns
tGLQV
tOE
Output enable to output
-
25
-
30
-
35
-
50
-
55
ns
tEHQZ
tDF
Chip enable to output High Z
-
15
-
20
-
20
-
30
-
35
ns
tGHQZ
tDF
Output enable to output High Z
-
15
-
20
-
20
-
30
-
35
ns
tAXQX
tOH
Output hold time from addresses,
CE or OE, whichever occurs first
0
-
0-
0
-
0-
ns
Undefined / don’t care
Falling input
Rising input
Addresses stable
Addresses
tRC
tACC
tOE
tCE
tOH
tDF
CE
OE
WE
Outputs
High Z
Output valid
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4DDR16M72-8/XT | 16M X 72 DDR DRAM, 0.8 ns, PBGA219 |
| AS5C4008F-35LE/883C | 512K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, CDFP32 |
| AS5C512K8F-35LE/883C | 512K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, CDFP36 |
| AS6C1008-55PCN | IC,AS6C1008-55PCN,DIP-32 LP SRAM,55NS,128K X 8,2.7-5.5V |
| AS6C4008-55PCN | IC,AS6C4008-55PCN,DIP-32 LP SRAM,55NS,512K X 8,2.7-5.5V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS29F040-55LC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| AS29F040-55LI | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| AS29F040-55TC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| AS29F040-55TI | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM |
| AS29F040-70LC | 制造商:Alliance Memory Inc 功能描述: |
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