型號: | APTGT75DH120T |
廠商: | Advanced Power Technology Ltd. |
英文描述: | Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
中文描述: | 非對稱-橋快速戴場站IGBT功率模塊 |
文件頁數(shù): | 5/5頁 |
文件大?。?/td> | 288K |
代理商: | APTGT75DH120T |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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APTGT75DSK60T3 | Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
ARF1500 | ER 3C 3#16 PIN RECP WALL |
ARF1501 | ER 3C 3#16S SKT RECP |
ARF1502 | ER 2C 2#16S PIN RECP |
AS2524T | Line Interface Speaker Phone; Package Type: SOIC-28; Temperature Range: -25 - +70 °C; Output Interface: Parallel; Supply Voltage: 3,00-5,00 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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APTGT75DH60T1G | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
APTGT75DH60T3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
APTGT75DH60TG | 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |