參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT75DH120T
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述： 非對(duì)稱-橋快速戴場(chǎng)站IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 288K
代理商： APTGT75DH120T
APTGT75DH120T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 5
Temperature sensor NTC
(see application note APT0406 on www.advancedpower.com for more information).
Symbol Characteristic
R
25
Resistance @ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.15 K
=
B
exp
85
/
25
Min
Typ
50
3952
Max
Unit
k
K
T
T
R
R
T
1
1
25
25
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
2500
-40
-40
-40
1.5
Typ
Max
0.35
0.48
150
125
125
4.7
160
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
T
J
T
STG
T
C
Torque Mounting torque
Wt
Package Weight
Package outline
(dimensions in mm)
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
V
°C
To Heatsink
M5
N.m
g
T: Thermistor temperature
R
T
: Thermistor value at T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT75DSK60T3 Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
ARF1500 ER 3C 3#16 PIN RECP WALL
ARF1501 ER 3C 3#16S SKT RECP
ARF1502 ER 2C 2#16S PIN RECP
AS2524T Line Interface Speaker Phone; Package Type: SOIC-28; Temperature Range: -25 - +70 °C; Output Interface: Parallel; Supply Voltage: 3,00-5,00
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT75DH120T3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT 1200V 110A SP3
APTGT75DH120TG 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75DH60T1G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75DH60T3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGT75DH60TG 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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