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APTGT75DH60TG

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  • 型號
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  • APTGT75DH60TG
    APTGT75DH60TG

    APTGT75DH60TG

  • 林沃田信息技術(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • IGBT MOD TRENCH ASYM

  • 22+

  • -

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
APTGT75DH60TG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 半導體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
  • 600V
  • Vge, Ic時的最大Vce（開）
  • 1.4V @ 15V，100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止（最大）
  • 100µA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標準
  • NTC 熱敏電阻
  • 無
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4，miniBLOC
  • 供應商設備封裝
  • SOT-227B
APTGT75DH60TG 技術參數(shù)
  • APTGT75DH60T1G 功能描述:MOD IGBT 600V 100A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:非對稱橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.62nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT75DH120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 110A 357W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:非對稱橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:357W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:5.34nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGT75DH120T3G 功能描述:MOD IGBT 1200V 110A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:非對稱橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:357W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:5.34nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGT75DDA60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual Boost Chopper 600V 100A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:雙路升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.62nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGT75DA60T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 100A 250W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.62nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT75SK170D1G APTGT75SK60T1G APTGT75TA120PG APTGT75TA60PG APTGT75TDU120PG APTGT75TDU60PG APTGT75TL60T3G APTGT75X60T3G APTGTQ100A65T1G APTGTQ100DA65T1G APTGTQ100DDA65T3G APTGTQ100H65T3G APTGTQ100SK65T1G APTGTQ150TA65TPG APTGTQ200A65T3G APTGTQ200DA65T3G APTGTQ200SK65T3G APTGTQ50TA65T3G
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