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APTGT75DH60T1G

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  • APTGT75DH60T1G
    APTGT75DH60T1G

    APTGT75DH60T1G

  • 林沃田信息技術(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(深圳)有限公司

    聯系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • MOD IGBT 600V 100A S

  • 22+

  • -
  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75DH60T1G 技術參數
  • APTGT75DH120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 110A 357W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:非對稱橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):110A 功率 - 最大值:357W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.1V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):5.34nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGT75DH120T3G 功能描述:MOD IGBT 1200V 110A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:非對稱橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):110A 功率 - 最大值:357W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.1V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):5.34nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGT75DDA60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual Boost Chopper 600V 100A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:雙路升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.9V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4.62nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGT75DA60T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 100A 250W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.9V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4.62nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT75DA170T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 130A 465W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):130A 功率 - 最大值:465W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):6.8nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT75SK120TG APTGT75SK170D1G APTGT75SK60T1G APTGT75TA120PG APTGT75TA60PG APTGT75TDU120PG APTGT75TDU60PG APTGT75TL60T3G APTGT75X60T3G APTGTQ100A65T1G APTGTQ100DA65T1G APTGTQ100DDA65T3G APTGTQ100H65T3G APTGTQ100SK65T1G APTGTQ150TA65TPG APTGTQ200A65T3G APTGTQ200DA65T3G APTGTQ200SK65T3G
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