參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF150H120
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Full - Bridge NPT IGBT Power Module
中文描述： 全-橋不擴(kuò)散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 226K
代理商： APTGF150H120
APTGF150H120
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
BV
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
Test Conditions
V
GE
= 0V, I
C
= 2mA
V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V
V
GE
=15V
I
C
= 150A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 5 mA
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0V
Min
1200
4.5
Typ
0.2
12
3.3
4
Max
3
3.9
6.5
±500
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
mA
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn-on Switching Energy
E
off
Turn-off Switching Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
I
F(AV)
Maximum Average Forward Current
Test Conditions
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= 15V
V
Bus
= 600V
I
C
= 150A
R
G
= 5
Min
Typ
10.5
1.5
0.8
70
50
500
30
8.5
9
Max
Unit
nF
ns
mJ
Test Conditions
50% duty cycle
I
F
= 150A
I
F
= 200A
I
F
= 200A
Min
Typ
125
2.2
2.4
2.2
6.5
20
Max
2.5
Unit
A
Tc = 85°C
V
F
Diode Forward Voltage
T
j
= 150°C
V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
Q
rr
Reverse Recovery Charge
I
F
= 150A
μC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF300SK120 Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF350A60 Phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF350DU60 Dual common source NPT IGBT Power Module
APTGF50A120T Phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF50DH120T Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF150H120G 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF150SK120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF150SK120TG 功能描述:IGBT 1200V 200A 961W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF150X60E3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF150X60E3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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