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APTGF150X60E3

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTGF150X60E3G
    APTGF150X60E3G

    APTGF150X60E3G

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 170

  • APT

  • 150A/600V/IGBT/6U

  • 2024+

  • -
  • 全新現(xiàn)貨價格優(yōu)勢

  • APTGF150X60E3
    APTGF150X60E3

    APTGF150X60E3

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT

  • 08+/pb

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • APTGF150X60E3
    APTGF150X60E3

    APTGF150X60E3

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • APTGF150X60E3
    APTGF150X60E3

    APTGF150X60E3

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 9600

  • APT

  • 價格優(yōu)勢

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
APTGF150X60E3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全稱
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF150X60E3 技術(shù)參數(shù)
  • APTGF150SK120TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 200A 961W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.7V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):350μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):10.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF150H120G 功能描述:IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 1200V 200A 961W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:全橋反相器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.7V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):350μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):10.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF150DU120TG 功能描述:IGBT Module NPT Dual, Common Source 1200V 200A 961W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:雙,共源 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.7V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):350μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):10.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF150DH120G 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 1200V 200A 961W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:非對稱橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.7V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):350μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):10.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF150DA120TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 200A 961W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.7V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):350μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):10.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF180DH60G APTGF180DU60TG APTGF180H60G APTGF180SK60TG APTGF200A120D3G APTGF200DA120D3G APTGF200SK120D3G APTGF200U120DG APTGF250A60D3G APTGF250DA60D3G APTGF250SK60D3G APTGF25A120T1G APTGF25DDA120T3G APTGF25DSK120T3G APTGF25H120T1G APTGF25H120T2G APTGF25H120T3G APTGF25X120T3G
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