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APTGF150SK120TG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTGF150SK120TG
    APTGF150SK120TG

    APTGF150SK120TG

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • IGBT 1200V 200A 961W

  • 22+

  • -

  • APTGF150SK120TG
    APTGF150SK120TG

    APTGF150SK120TG

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • APTGF150SK120TG
    APTGF150SK120TG

    APTGF150SK120TG

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Microsemi

  • 22+

  • -

  • 原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
APTGF150SK120TG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT 1200V 200A 961W SP4
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 半導體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
  • 600V
  • Vge, Ic時的最大Vce（開）
  • 1.4V @ 15V，100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止（最大）
  • 100µA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標準
  • NTC 熱敏電阻
  • 無
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4，miniBLOC
  • 供應商設(shè)備封裝
  • SOT-227B
APTGF150SK120TG 技術(shù)參數(shù)
  • APTGF150H120G 功能描述:IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 1200V 200A 961W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:全橋反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:10.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGF150DU120TG 功能描述:IGBT Module NPT Dual, Common Source 1200V 200A 961W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:雙，共源 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:10.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF150DH120G 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 1200V 200A 961W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:非對稱橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:10.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGF150DA120TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 200A 961W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:10.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF150A60T3AG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 600V 230A 833W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:230A 功率 - 最大值:833W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:9nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGF180DH60G APTGF180DU60TG APTGF180H60G APTGF180SK60TG APTGF200A120D3G APTGF200DA120D3G APTGF200SK120D3G APTGF200U120DG APTGF250A60D3G APTGF250DA60D3G APTGF250SK60D3G APTGF25A120T1G APTGF25DDA120T3G APTGF25DSK120T3G APTGF25H120T1G APTGF25H120T2G APTGF25H120T3G APTGF25X120T3G
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