參數(shù)資料
型號(hào)： APT30GF60JCU2
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 6/6頁(yè)
文件大?。?/td> 213K
代理商： APT30GF60JCU2
APT30GF60JCU2
APT
30GF60JCU2
–
Rev
0
Septem
be
r,
2009
www.microsemi.com
6 – 6
Typical SiC chopper diode Performance Curve
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
e
rma
lImpe
da
nc
e
(
°C
/W
)
Forward Characteristics
TJ=25°C
TJ=75°C
TJ=125°C
TJ=175°C
0
5
10
15
20
00.5
11.5
22.5
33.5
VF Forward Voltage (V)
I F
F
o
rw
a
rd
C
u
rre
nt
(A
)
Reverse Characteristics
TJ=25°C
TJ=75°C
TJ=125°C
TJ=175°C
0
40
80
120
160
200
300
400
500
600
700
800
VR Reverse Voltage (V)
I R
R
e
ver
se
C
u
rr
e
n
t(
A)
Capacitance vs.Reverse Voltage
0
50
100
150
200
250
300
350
400
1
10
100
1000
VR Reverse Voltage
C,
Ca
pa
c
it
a
n
c
e
(p
F)
ISOTOP is a registered trademark of ST Microelectronics NV
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5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT30GF60JU3 58 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT30GP60B 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT30GP60BG 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT30GP60S 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT30GP60SG 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT30GF60JU2 功能描述:IGBT 600V 58A 192W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT30GF60JU3 功能描述:IGBT 600V 58A 192W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT30GL100BN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247
APT30GN60B 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT
APT30GN60BDQ2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT
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