參數(shù)資料
型號(hào)： APT30GF60JCU2
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 213K
代理商： APT30GF60JCU2
APT30GF60JCU2
APT
30GF60JCU2
–
Rev
0
Septem
be
r,
2009
www.microsemi.com
4 – 6
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
15
30
45
60
01
23
4
Ic,
C
o
ll
e
c
to
rC
u
rr
ent
(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
012
34567
89
10
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic,
C
o
ll
ecto
r
C
u
rr
e
nt
(A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
Col
lector
to
E
m
itter
B
reakd
own
V
o
lt
age
(N
or
m
a
li
z
e
d)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,D
C
o
ll
e
c
to
rC
u
rr
e
n
t
(A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
VCE=120V
VCE=300V
VCE=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
20406080
100
120
Gate Charge (nC)
V
GE
,Gate
to
E
m
itter
V
o
lt
ag
e
(V
)
IC = 30A
TJ = 25°C
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
12.5
25
37.5
50
01
23
4
Ic
,C
o
ll
e
c
to
r
C
u
rr
e
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT30GF60JU3 58 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT30GP60B 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT30GP60BG 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT30GP60S 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT30GP60SG 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT30GF60JU2 功能描述:IGBT 600V 58A 192W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT30GF60JU3 功能描述:IGBT 600V 58A 192W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT30GL100BN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247
APT30GN60B 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT
APT30GN60BDQ2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT
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