參數(shù)資料
型號(hào)： APT30GF60JCU2
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 213K
代理商： APT30GF60JCU2
APT30GF60JCU2
APT
30GF60JCU2
–
Rev
0
Septem
be
r,
2009
www.microsemi.com
2 – 6
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tj = 25°C
250
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 600V
Tj = 125°C
500
A
Tj = 25°C
1.7
2.0
2.45
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 30A
Tj = 125°C
2.2
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 1mA
4
6
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
1350
Coes
Output Capacitance
193
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
120
pF
Qg
Total gate Charge
99
Qge
Gate – Emitter Charge
10
Qgc
Gate – Collector Charge
VGE = 15V
VBus = 300V
IC =30A
60
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
30
Tr
Rise Time
12
Td(off)
Turn-off Delay Time
80
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 30A
RG = 6.8Ω
15
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
32
Tr
Rise Time
12
Td(off)
Turn-off Delay Time
90
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 30A
RG = 6.8Ω
21
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 125°C
0.2
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 30A
RG = 6.8Ω
Tj = 125°C
0.8
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 360V
tp ≤ 10s ; Tj = 125°C
135
A
Chopper SiC diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
50
200
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 175°C
100
2000
A
IF
DC Forward Current
Tc = 125°C
10
A
Tj = 25°C
1.6
1.8
VF
Diode Forward Voltage
IF = 10A
Tj = 175°C
2
2.4
V
QC
Total Capacitive Charge
IF = 10A, VR = 300V
di/dt =500A/s
14
nC
f = 1MHz, VR = 200V
65
C
Total Capacitance
f = 1MHz, VR = 400V
50
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT30GF60JU3 58 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT30GP60B 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT30GP60BG 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT30GP60S 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT30GP60SG 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT30GF60JU2 功能描述:IGBT 600V 58A 192W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT30GF60JU3 功能描述:IGBT 600V 58A 192W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT30GL100BN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247
APT30GN60B 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT
APT30GN60BDQ2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT
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